SI4894BDY-T1-E3全国供应商、价格、PDF
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SI4894BDY-T1-E3 PDF下载
- 大小：105K
- 厂家：Vishay
- 描述： MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:8.9A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:1.4W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
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